Преимущества SSD-накопителей перед HDD-накопителями

[Андрей-001 1099]

Основным преимуществом SSD-накопителя по сравнению с традиционным жёстким диском (особенно типичным для комплектации современных ноутбуков – небольшим и не слишком скоростным жёстким диском с диаметром пластин 2,5" и скоростью вращения 5200 либо даже 4800 об./мин) остается скорость обмена данными с оперативной памятью компьютера. Другие, ни менее важные преимущества - это меньшее энергопотребление, меньшая чувствительность к ударам и сотрясениям, меньший вес.

Таким образом, замена HDD на SSD положительно скажется на скорости запуска операционной системы и приложений, продолжительности автономной работы ноутбука, сохранности важных данных. К тому же не выделяющие тепла и абсолютно бесшумные, новые SSD-решения, как ожидается, будут наилучшим решением для персональных компьютеров.

К примеру сказать, японская компания Buffalo сейчас предлагает серию твердотельных накопителей SHD-NSUM, состоящую из шести моделей емкостями 30, 32, 60, 64, 120 и 128 Гбайт. По заверениям на сайте Buffalo, использование её новых SSD сокращает время загрузки операционной системы на целых 45%, а в среднем прирост скорости работы по сравнению с обычными HDD обещает составить около 30%.

Особенностью моделей серии Buffalo SHD-NSUM является наличие сразу двух интерфейсов, SATA-II и USB 2.0 (см. картинку), в сочетании с габаритами типичного ноутбучного накопителя формата 2,5" (цена SSD будет 392$ за 128 Гб, но это дело времени и к теме обсуждения не относится).

Это открывает дополнительные возможности при работе с устройством, предназначенным для замены жёсткого диска ноутбука. Например, можно подключить его непосредственно к мобильному компьютеру, HDD которого предполагается менять, и создать на нем образ уже имеющегося диска или просто перенести нужные данные.

При возникновении неполадок в самом ноутбуке такой SDD-накопитель не составит труда извлечь и использовать как внешний с другим компьютером, чтобы без труда получить доступ к сбережённым на нём данным.

Всвязи с чем возникает ряд вопросов:

1) Поможет ли использование SDD-накопителей избежать целого ряда причин, вызывающих потерю данных на HDD или это всего лишь другая проблемоносная технология за счёт покупателей?

2) Какими будут способы восстановления данных с SDD-накопителей, будут ли они (способы ли) отличаться от существующих ныне или же программно-восстановительная среда останется той же?

Для ответов на эти и другие вопросы и предназаначена эта тема.

[Андрей-001 1099]

Samsung уже оснащает SSD встроенными средствами полного шифрования

Сотрудничество компаний Wave Systems и Samsung Electronics привело к созданию продукта, который «даст мобильным профессионалам максимальную степень безопасности». Наряду с высокой скоростью и бесшумной работой новые твердотельные накопители Samsung характеризуются наличием функции автоматического шифрования всей информации.

Полное шифрование диска (full disk encryption, FDE) уже стало стандартной функцией многих накопителей на жестких магнитных дисках для настольных и мобильных систем.

Компания Samsung предложила потребителям твердотельные накопители с FDE типоразмера 1,8 и 2,5 дюйма, в вариантах объема 256, 128 и 64 ГБ. По данным Samsung, в SSD типоразмера 1,8 дюйма поддержка FDE реализована впервые в мире.

В комплект поставки устройств входит ПО Wave EMBASSY для конфигурирования и администрирования.

Поставляемая отдельно программа Wave EMBASSY Remote Administration Server дает возможность администратору удаленно включать SSD и контролировать работу функций шифрования. Программа поддерживает все доступные сегодня накопители с TPM и FDE, а также защиту с помощью FDE, реализованную программным способом, с помощью программы SafeNet ProtectDrive.

Новые накопители, как говорят, вот-вот должны появиться в конфигурациях готовых ПК.

Источник: www.ixbt.com

Преимущества SSD Samsung >>> (видеодемонстрация)

Некоторые твердотельные SSD-накопители >>> (внешний вид, технические характеристики)

Несмотря на значительное преимущество твердотельных накопителей перед жёсткими дисками, накопители SSD все же пока не пользуются популярностью.

Согласно отчету DRAMeXchange, твердотельные накопители будут находиться всего лишь в 1-1.5% ноутбуков, поставленных на рынок в текущем году. Конечно же, вероятность встретить SSD в нетбуке гораздо выше - около 10%, однако, подобные накопители мало чем отличаются от USB-флэшек, так как имеют сравнительно небольшой объем и низкую производительность.

Подобное положение дел объясняется все еще высокими ценами на флэш-чипы и соответственно SSD. В настоящее время стоимость 64 Гб накопителя сравнима с 500 Гб мобильным 2.5-дюймовым винчестером, но существенное снижение цены можно будет ожидать после перехода на 30 нм чипы флэш-памяти.

Довольно любопытно, какой должна быть стоимость твердотельного накопителя, чтобы рядовой пользователь предпочел жесткому диску более надежный, быстрый, тихий и энергоэффективный SSD?

[Андрей-001 1099]

Хочу поделиться подробной информацией о различных современных технологиях памяти для твердотельных накопителей: OUM, NRAM, FRAM, MRAM. Из-за большого объёма информации и удобства чтения придётся размещать информацию порциями.

Борьба за господство в сфере запоминающих устройств заставляет лучшие умы человечества прибегать к новым методам изготовления памяти. Если твердотельные накопители (SSD) хотят победить своего главного конкурента в лице винчестеров, то технологии создания чипов на базе NAND флеш-памяти не позволят им одержать легкую и уверенную победу.

Уже сейчас надо использовать что-то новое. Поэтому сегодня речь о завтрашних "внутренностях" твердотельников – быть может, в скором времени маркетологи и СМИ начнут расхваливать технологии, представленные в этой статье.

Технологии новой памяти уже сейчас сделали ощутимый шаг в осуществлении заветной мечты многих инженеров и пользователей ПК – иметь производительность, не уступающую модулям динамической памяти, да при этом еще и сохранять все данные на долгие-долгие годы. Когда она осуществится, исчезнет, например, такое понятие, как "время загрузки операционной системы", а грань между ОЗУ и ПЗУ окончательно смоется потом трудолюбивых разработчиков. С освоением новых технических процессов, улучшением характеристик и удешевлением производства, а также увеличением ассортимента продуктов и объемов выпуска продвинутая энергонезависимая память придет-таки в наши дома. Но сколько еще ждать заветного "чуда" – никто не знает. Будем надеяться, что не долго.

OUM

В погоне за господством над компьютерным миром корпорация Intel преуспела в создании нового вида памяти. Приблизительно семь лет назад началась разработка прогрессивного типа запоминающих устройств, основанных на аморфных полупроводниках (Ovonic Unified Memory – OUM). Благодаря своему известнейшему прародителю данная "твердотельная" технология успела стать довольно узнаваемой, но мало применяемой в наши дни. По существу, OUM работает так же, как и перезаписываемые CD-RW и DVD-RW. Только вместо считывающего лазера, нагревающего болванку, применяется электрический ток. Халькогенид (греч. – "рудородный") – термопластичный сплав металла с частицами теллура, серы, селена, полония и искусственного унунгексия, остался идентичным тем, что используется для напыления дисков. При подаче тока в ячейку памяти искусственно созданный материал из-за нагрева меняет свой фазовый состав, превращаясь из кристалла в стеклообразное (аморфное) вещество. Дальнейшее остывание халькогенида сохраняет видоизмененную структуру ячейки. Если "рудородный" снова нагреть и выдержать порядка 30-60 наносекунд, то его структура примет изначальную кристаллическую, решетчатую форму. Анизотропная разница в фазовом состоянии (аморфном или кристаллическом) обуславливается считывающим прибором как логический ноль или единица. В твердотельных OUM-накопителях восприятие информации контроллером зависит от изменения электрических свойств получившихся двух материалов – у разных фазовых состояний разная проводимость тока.

Содействовать Intel’лигентным товарищам стала Philips - известная фирма по производству бытовой электроники. Используя в качестве подложки для ячейки OUM-памяти диоксид кремния, инженеры двух компаний добились самых значительных успехов в создании халькогенидной памяти. Таким образом разработчики избавились от нежелательных химических реакций, возникающих при превращении кристаллической решетки в стеклоподобное вещество, и добились достаточно большого выбора материалов для изготовления электродов.

Непосредственными конкурентами твердотельной OUM-памяти являются родственные технологии CRAM (Chalcogenide RAM) и PCM (Phase Change Memory). Первой ласточкой является крупная оборонная компания (содействующая с министерством обороны США и NASA) BAE Systems. Данный вид памяти заинтересовал военных и астронавтов в первую очередь из-за ее неприхотливости к внешним условиям, а также повышенной устойчивости к радиации. Вторую технологию контролирует синдикат известнейших корпораций Intel, Samsung, Fujitsu и Hitachi. Все три вида памяти на аморфных полупроводниках различаются лишь владельцами патентов и формой считывания/записи информации. Остальные же спецификации идентичны "оумовским", словно перед нами близнецы.

На сегодня инженерам удалось создать 90-нанометровые микросхемы с минимальным циклом чтения в 30 нс и 100 миллионами циклов перезаписи информации. К тому же, будь то OUM-, CRAM- или PCM-память, ячейки халькогенидного твердотела невосприимчивы к радиации, магнитным и электрическим полям, а также различным видам излучений.

Вот только скорости записи/стирания пока довольно низки (если сравнивать с DRAM) – целых 100-250 наносекунд. Необходимость постоянного перевода вещества из кристаллического состояния в аморфное также потребует дополнительной энергии. Если учесть, что современные SSD уже сейчас проигрывают в этом показателе жестким дискам, такой минус может оказаться существенным во внедрении OUM-памяти.

Не сомневаясь в серьезности намерений Intel и ее напарников, следует взять на заметку память на аморфных полупроводниках. В скором времени мы будем слышать о технологиях на основе фазового перехода чаще, даже если твердотельные накопители не будут нуждаться в халькогенидах.

[Андрей-001 1099]

NRAM

Развитее, изучение и продвижение затратных и тяжёлых нанотехнологий, плюс поиски новых материалов привели инженеров компании Motorola к созданию нанокристаллов (т.е. кристаллы имеют размеры меньше 100 нанометров), работа которых основана на законах электрофизики. Образование, по форме напоминающее шар радиусом 2.5 нанометра, размещается на специальном слое, закрепленном на оксидной оболочке (сама же оболочка нанесена на кремниевую подложку). Между специальными слоями расположены электроды. Первоначально такие нанокристаллы имели 90-нанометровый тех.процесс и изготавливались на 200-мм пластинах. Оказалось, что они обладают гораздо более быстрым туннелированием (прохождением) заряда, нежели микросхемы флеш-памяти.

Ровно 18 лет назад инженеры компании NEC разработаны так называемые нанотрубки. Эти нити длинной несколько десятков нанометров и диаметром два нанометра, состоящие из пластинок графита (углерода в практически чистом виде), стали использовать совместно с нанокристаллами Motorola. Так появился новый вид энергонезависимой памяти – NRAM (Nanotube-based RAM) или память на углеродистых нанотрубках.

Сейчас развитием нанопамяти занимается бостонская компания Nantero. Её творение представляет собой нанокристалл с 20-нанометровыми (в диаметре) углеродистыми трубками, связывающими сферы между собой. Нити натянуты так, что расстояние между ними и электродами составляет всего 13 нанометров. При включении напряжения на определённые элементы памяти некоторые из трубок прогибаются и под действием сил Ван-дер-Ваальса соприкасаются с электродами. Нанотрубки не размыкаются, пока через них не пройдёт ток обратного действия (углеродистые пластины могут находиться в таком положении около полутора десятка лет). Считывание получившейся информации происходит путем измерения в ячейках памяти сопротивления электродов. Там, где сопротивление уменьшилось (место соприкосновения нитей с электродом), записывается логическая единица. В районе же с неизменным сопротивлением будет логический ноль. Чтобы стереть всю информацию (т.е. сделать силу Ван-дер-Ваальса равной нулю), через микросхему пропускают обратный ток.

Твердотельная память NRAM обладает очень большим числом циклов перезаписи данных (более тысячи миллиардов циклов!) за счет использования сразу нескольких пар нанотрубок. Даже если из-за помех, радиации или излучения одна из нитей разорвется, сопротивление на электроде останется прежним. По надёжности память из "углерода" не уступит халькогенидному аналогу.

Полученные образцы имеют отличные технические характеристики:

- запись/стирание информации в одну ячейку чуть превышает отметку в 5 наносекунд;

- цикл чтения также длится порядка 5 нс;

- память обладает большой устойчивостью против помех и радиации;

- плотность размещения информации составляет 5 миллиардов бит на один квадратный сантиметр.

Единственным и главным минусом NRAM является сложность производства чипов, ведь нанотехнологии всегда были весьма наукоёмкими. Так, необходимость соблюдения строгой идентичности свойств нанотрубок и их метрических характеристик заставляет использовать сложные приспособления (очень мощную оптику), заново считывающие информацию с шаблона 200-миллиметровой пластины. Из-за присутствия большого количества примесей и мусора от используемых материалов приходится заново создавать шаблоны. Частично решают проблему путем нанесения нанотрубок на предварительно обработанную кремниевую подложку хаотично, с последующим укладыванием их шаблоном и удалением всего лишнего литографией.

Память на углеродистых нанотрубках имеет отличные показатели быстродействия и надёжности, но ввиду сложности её изготовления ещё не скоро появится в пользовательских девайсах.

[Андрей-001 1099]

FRAM

Ещё один претендент готовится поселиться в тесном корпусе твердотельного диска. Имя ему Ferroelectric RAM (сегнетоэлектрическая память). Уже из названия можно вспомнить рассказы про доисторические запоминающие "памятники архитектуры", состоящие из нескольких огромных ферромагнитных "блинов", нанизанных на стальные прутья.

С тех пор прошло достаточно много времени, и если раньше несколько квадратных метров помещения могли "запомнить" от силы один мегабайт данных, то новый вид энергонезависимой памяти обладает несравнимо большей ёмкостью и меньшими объёмами. Все новое – хорошо забытое старое.

Сейчас сегнетоэлектрическую память пытаются поставить на ноги три очень известные компании: Hynix Semiconductor, Toshiba и Panasonic. Первая уже наладила выпуск 250-нанометровых микросхем. Вторая чуть отстаёт, создав ячейки памяти, изготовленные по 350-нанометровому техническому процессу. Наконец, бывшая Matsushita Electric добилась самых внушительных результатов, показав всему белому свету 180-нанометровые микросхемы.

Как и в старину, FRAM-чипы используют принцип сегнетоэлектрического эффекта. Ячейки памяти сохраняют свою поляризацию даже при отсутствии электрического поля, благодаря сегнетоэлектрику (материалу, имеющему при определенной температуре собственный электрический дипольный момент), расположенному между электродом и подложкой. Последние, в свою очередь, составляют конденсатор (подобно DRAM). А как известно, память данного типа энергозависима, и при отсутствии питания ячейка теряет заряд, следовательно, и информацию. Слой (кристалл) ионов, расположенный внутри конденсатора, сохраняет информацию даже в отсутствие энергии и регенерирует её при последующем появлении питания элемента энергозависимой памяти.

Скорость такой памяти сильно зависит от количества стенок сегнетоэлектрика, а также от качества напыляемого поверх него электрода, и подложки внизу сегнетоэлектрика. Сама же плёнка имеет толщину нескольких десятков нанометров.

В кристалле сегнетоэлектрика располагается подвижный атом. В зависимости от подаваемого тока он движется от электрода к подложке либо наоборот. Чтение записанной информации происходит путем создания заряда на конденсаторе и перемещения подвижного атома. Тем самым в ячейке генерируется определенный заряд: обычный (такой же, как у DRAM), если атомы не изменили свое первоначальное положение; и комбинированный, если атомы перешли на одну из сторон (на конденсаторе или внутри кристалла).

Датчик, который находится внутри сегнетоэлектрика, считывает и сравнивает получившийся заряд с номинальным значением и присваивает ячейке либо логический ноль, либо единицу.

Запись осуществляется путем переключения текущего состояния сегнетоэлектрика. Прилагая направление электрического поля от электрода к подложке и наоборот (заставляя тем самым передвигаться атом), получаем записанный ноль или единицу.

Память уже успешно используется в промышленности, где помимо скорости и долговечности требуется ещё и надёжность, а также повышенная устойчивость к всевозможным помехам. Но сегнетоэлектрические ПЗУ мало распространены в персональных компьютерах. Сказывается малая плотность записи информации (в сравнении с DRAM и конкурентами), удорожающая производство чипов. Вторым немаловажным фактором являются большие задержки чтения, записи и стирания бита данных (приблизительно 100 наносекунд). И, наконец, последний минус – это маленькое количество циклов перезаписи информации (всего 1 миллион). Если всё-таки брать FRAM-память на заметку, то, скорее всего, сегнетоэлектрический эффект металлов пригодится переносным твердотельным накопителям и всевозможным мультимедиа-устройствам.

[Андрей-001 1099]

MRAM

И последний на сегодняшний день вид энергонезависимой памяти, но самый главный претендент на место во внутреннем пространстве будущих SSD-накопителей – Magneto-resistive Random Access Memory. Покровительствуемая такими гигантами, как IBM, Hitachi, NEC, Mitsubishi, Motorola, Infineon и др., магниторезистивная память смело наступает на пятки используемой сейчас флеш-памяти и очень стремится вырваться вперед. Помогают MRAM в таком нелёгком деле законы физики и старые производственные возможности изготовления носителей на магнитных плёнках.

Если в динамической памяти нули и единицы хранятся в виде электрических зарядов, то у SSD MRAM запись в ячейку осуществляется за счёт изменения момента магнитного поля. Микросхема MRAM состоит из множества транзисторов и так называемых MTJ-плёнок (магнитный туннельный переход), разделённых на ячейки. Туннельный переход состоит из двух слоёв ферромагнетика и тонкой немагнитной связующей прослойки (SAF), изготовленной из оксида алюминия и разделяющей их. Нижний слой имеет постоянный вектор намагниченности и никогда не изменяет своего направления. Верхний слой – свободный и может легко изменять направление вектора под действием внешних факторов.

Для чтения информации из одной такой ячейки контроллер производит измерение её ферромагнитного сопротивления. Если векторы намагниченности слоёв MTJ направлены в одну сторону (сопротивление из-за одинаковости ориентации слоёв уменьшается), то датчик воспринимает это, как логический ноль. И наоборот. Запись и стирание информации также должны изменить направления векторов верхнего слоя магнитного перехода. Для этого на перпендикулярно расположенные относительно MTJ электроды подаётся магнитный импульс, изменяя тем самым поляризацию верхнего слоя.

На сегодня инженерам коалиции компаний удалось создать 180-нанометровые микросхемы, показывающие неплохие параметры быстродействия. Скорость произвольного чтения бита информации составляет порядка 5 наносекунд. Цикл записи/стирания находится на отметке приблизительно 10-20 нс. Всего же MRAM-память изнашивается за 10 в 15-й степени перезаписей.

Но есть и недостатки. Пожалуй, самыми главными из них являются случайное перемагничивание верхнего слоя туннельного перехода и высокая чувствительность SAF-пленки к тому же перемагничиванию. Соль проблемы в том, что медные электроды при записи могут случайно изменить ориентацию соседней ячейки бита. Поэтому первым решением данного технического казуса является тройная изоляция электродов с помощью защитного экрана. В результате такого вот метода устранения неполадок удалось создать более точное направление подаваемого импульса, а также уменьшить потребление тока (на сегодня ячейка MRAM-памяти потребляет всего 2 миллиампера, что в сотни раз меньше DRAM), но заметно усложняет производство и удорожает саму микросхему.

Вторым методом решения проблемы ошибочного перемагничивания является модификация ячейки памяти в столбец (метод Савченко). К верхнему и нижнему MJT, расположенным не в ряд, а друг под другом, подводят, соответственно, верхний и нижний (базовый) электроды. Между ними находится прослойка оксида алюминия. При воздействии импульса тока векторы магнитного потока связующей прослойки начинают бесконечно вращаться относительно возбудителя, изменяя свое направление за время возбуждения четыре раза. Но структура SAF определяется только двумя состояниями: начальным и конечным. Таким образом, при одновременной подаче тока на две линии выбранной ячейки памяти (верхнюю и нижнюю) состояние SAF-стенки изменяется. Если питание подается через один проводник, то ни плотность ячеек памяти, ни импульс тока не могут изменить направление момента свободного слоя. Следовательно, устраняется столь неприятная чувствительность SAF к намагничиванию ячеек MRAM-памяти.

Решив все свои проблемы, магниторезистивная энергонезависимая память всерьез заявила о своих намерениях и в ближайшем будущем легко может стать основой различных твердотельных накопителей.

[Андрей-001 1099]

Похоже, что нетбуки, действительно, пока обойдутся без твердотельных накопителей...

...В течение ближайшего времени они будут уделом дорогих ноутбуков и лишь потом снова появятся в нетбуках...

...ряд исследований показывает, что скорость чтения у SSD ниже, чем заявляется...

...рынку остается лишь ждать той поры, пока они смогут сравняться по цене и другим пользовательским характеристикам с жесткими дисками...

Подробнее >>> http://www.ibusiness.ru/products/440758/

[Андрей-001 1099]

В суперкомпьютерном центре американского города Сан-Диего в штате Калифорния запущен первый в мире суперкомпьютер Dash, в котором нет ни одного жесткого диска. Функцию устройств долговременного хранения данных здесь выполняют более современные SSD-накопители. Носители данного класса имеют свои преимущества и недостатки в сравнении с классическими жесткими дисками.

В Университете Калифорнии, где новый суперкомпьютер заработал 2 сентября, говорят, что основная причина выбора SSD заключается в их более высокой скорости чтения данных, что позволяет суперкомпьютеру в разы быстрее получать исходные сведения для анализа. С другой стороны, использование данного вида накопителей значительно повысило цену суперкомпьютера, признают в университете.

Алан Снейвли, помощник директора компании SDSC, работающей при университете, говорит, что новая подсистема хранения полностью решила проблему получения больших объемов данных. "Дисковая подсистема раньше была здесь своеобразным бутылочным горлышком, которое задерживало все другие узлы. Теперь проблема передачи данных решена, реальная скорость трансфера данных увеличилась почти 10-кратно в сравнении с аналогичной системой на базе жестких дисков", - говорит он. В отличие от жестких дисков с магнитными пластинами внутри, SSD-накопители базируются на флеш-модулях, не имеющих движущихся частей и осуществляющие доступ к записанным данным в 8-10 раз быстрее, чем жесткие диски. Кроме того, SSD-накопители менее подвержены повреждениям и потребляют меньше электроэнергии. Оборотной стороной этих преимуществ является невысокая емкость накопителей и их высокая цена.

Использовать Dash в Университете намерены для моделирования геологических процессов внутри планеты в разные периоды времени.

Технически, новый компьютер состоит из 68 узлов Appro International GreenBlade с двумя 4-ядерными процессорами Intel Xeon 500 в каждом блейд-сервере. Суммарная производительность системы составляет 5,2 терафлоп/сек. Общий объем ОЗУ составляет 768 Гб.

Стоимость готовой системы разработчики пока не сообщают.

Один из источников >>>

[Андрей-001 1099]

В качестве примера решения, а не рекламы

Компания Verbatim анонсирует новый SSD-накопитель с двойным интерфейсом. В нём объединены преимущества высокоскоростного соединения по eSATA с простотой и удобством USB накопителя. Высокоскоростная технология хранения данных SSD Flash позволяет обеспечить объем 32ГБ. Утилита парольной защиты EasyLock и шифрование по 256-битному алгоритму AES гарантируют безопасность конфиденциальной информации. Новый eSATA/USB Combo SSD-диск Verbatim на 32ГБ обеспечен двухгодичной гарантией.

Новинка будет доступна в России по рекомендованной цене 5900 руб.

При подключении по интерфейсу eSATA новинка Verbatim Combo SSD позволяет считывать данные со скоростью до 60МБ/сек и записывать со скоростью до 25МБ/сек, тогда, как привычный USB 2.0 ограничивает возможности устройства при чтении и записи до 26МБ/сек и 15МБ/сек соответственно.

Встроенная утилита EasyLock не требует установки на компьютеры пользователей дополнительных программ и зашифровывает данные уже в момент их передачи на диск Combo SSD. Применение EasyLock дает возможность шифрования по 256-битному алгоритму AES, что сводит к минимуму риск несанкционированного доступа к данным в результате потери или кражи накопителя. Для устройств с портами eSATA ранних версий, которые не обеспечивают достаточное для периферийных устройств питание, в комплект поставки включен специальный адаптер-разветвитель, выход которого будет уже полноценным eSATA-коннектором за счет получения питания от USB-порта и передаче данных на eSATA-порт.

Накопитель eSATA/USB Combo SSD совместим с компьютерами под управлением Windows, Mac OS и Linux. Его вес составляет всего 19 граммов, при габаритах - 80x23x9 миллиметров.

Страница вендора >>>

[miky 0]

Лучше сразу сходить к дядюшке Тому и посмотреть.

[Андрей-001 1099]

Лучше сразу сходить к дядюшке Тому и посмотреть.

Тоже выход. Лишь бы новости успевали за прогрессом.

OCZ Technology официально представила быстрые и вместительные SSD Colossus Series SATA II

Новые твердотельные накопители OCZ Colossus совмещают в себе высокую производительность и большой объём.

Внутрь алюминиевого корпуса типоразмера 3,5" заключены два идентичных SSD общим объёмом 120, 250, 500 ГБ или 1 ТБ. В устройствах используется флэш-память типа NAND MLC (multi-level cell) и два скоростных контроллера, связанных с 128 МБ кэш-памяти. Подключение к ПК осуществляется посредством интерфейса SATA-II.

Объёдинив накопители в массив RAID 0, производитель добился скоростей передачи данных, достигающих 260 МБ/с. За одну секунду устройства способны выполнить до 14000 операций ввода-вывода при произвольной записи. Заявленное время наработки на отказ превышает 1,5 млн часов. Устройствам обеспечивается трёхлетняя гарантия. Стартовая цена накопителей Colossus составит $300.

Страница вендора >>>

Verbatim снабдил новые защищённые ExpressCard SSD-формата аппаратным шифрованием

Компания Verbatim представляет линейку твердотельных накопителей SSD Secure ExpressCard. Главным достоинством моделей является поддержка 256-битного аппаратного AES-шифрования данных.

Предназначенные исключительно для использования в ноутбуках, эти ударопрочные накопители оснащены интерфейсом ExpressCard и обладают пониженным энергопотреблением. Благодаря поддержке Plug and Play, устройства быстро распознаются системой и сразу готовы к использованию после установки в слот.

Помимо шифрования, данные можно обезопасить от неавторизованного доступа парольной защитой. После 10 попыток ввести неверный пароль, диск автоматически форматируется. Кроме того, имеется возможность распределить права доступа к файлам и папкам для гостевых пользователей и предоставить им отдельные пароли.

Накопители доступны в модификациях объёмом 16 ГБ и 32 ГБ по рекомендованной производителем цене $150 и $265.

В планах Verbatim также значится и выпуск 64 ГБ версии. На устройства выдана двухлетняя гарантия.

Страница вендора >>>

[Black_Z 160]

Создан самый быстрый в мире флеш-накопитель

Корпорация Micron Technology объявила о выходе нового твердотельного (SSD) накопителя RealSSD C300, скорость которого на 50 процентов превышает показатели лучших мировых аналогов. Об этом пишет Сomputerworld. Это первый накопитель, соответствующий новому стандарту SATA 3.0, обеспечивающему скорость передачи данных до 6 гигабит в секунду.

Устройство выполнено по новой для Micron технологии 34 нанометра (прежние образцы собирались компанией по 50-нанометровой технологии) и поддерживает стандарт Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1. Последняя спецификация позволяет накопителю достигать при последовательном считывании скорости до 355 мегабайт в секунду, а при записи - до 215 мегабайт в секунду.

25 ноября пресс-служба Micron опубликовала в YouTube-блоге компании видео теста производительности нового устройства в сравнении с обычным винчестером на 7200 оборотов в минуту.

Новая серия C300 будет собираться в корпусах с форм-фактором 1,8 и 2,5 дюйма. Обе модели планируется поставлять в версиях на 128 и 256 гигабайт. Для оптовых партий (от тысячи экземпляров), сообщает Micron, цена 128-гигабайтного C300 составит 350 долларов, а 256-гигабайтной версии накопителя - 715 долларов.

Новинка должна появиться в продаже в первом квартале 2010 года.

[akf 5]

Тюнинг жесткого диска нетбука Acer Aspire one 531

SSD OСZ в разобранном виде!

подробно смотрите в фотоархиве!

http://depositfiles.com/ru/files/14nnyb1ma

[UIT 103]

цена 128-гигабайтного C300 составит 350 долларов

Мне бы 32 Gb в настоящее время было достаточно

[Андрей-001 1099]

Foremay представляет самый быстрый твердотельный накопитель в форм-факторе 1.8 дюйма

SSD появится в трех разных сериях (SC199, EC188 и OC177) с довольно редким профилем 3.3 мм и 5 мм и предложит скорости чтения и записи до 280 Мбайт/с по интерфейсу micro-SATA.

Foremay SC199 и EC188 имеют толщину 5 мм, зато модель OC177 может похвастаться "осиной талией" до 3.3 мм при наличии тех же чипов памяти и контроллера памяти.

Ко всему прочему самой перспективной в вопросе ёмкости диска является серия EC188 (планируется модели до 12 TB!).

К тому же, что новые SSD от Foremay на 7 мм короче стандартной пластиковой карточки и предлагают емкость до 400 Гбайт.

Скорость работы этих устройств просто огромна – при работе с блоками по 4 килобайта они выдают 30000 и 15000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при процессе чтения и записи соответственно.

Калифорнийская компания Foremay позиционирует свои новейшие SSD-драйвы как носители информации, предназначенные для корпоративных клиентов. В то же время наименее вместительные модели подойдут и обычным потребителям, как по цене, так и по качеству. Сфера применения твердотельных жестких дисков очень большая – их можно устанавливать в обычные компьютеры, ноутбуки, нетбуки и планшетные компьютеры. Поставки уже начались, хотя цена не сообщается.

[Dmitrig 40]

Цены пока ещё слишком высоки. Возможно, есть смысл кому-то покупать ноутбуки с SSD, а преимуществ для настольных систем мало.

Каким бы ни был надёжным SSD накопитель - всё равно придёться делать резервные копии данных для подстраховки. А если есть необходимость делать резервные копии, то практической разницы между SSD и HDD нет. Неважно, что SSD на какой-то процент надёжнее. А более высокая ударопрочность и низкая энергопотребляемость для настольных систем не так актуальны.

Скорость обмена данными между накопителем и оперативной памятью тоже не сильно привлекает. Так много переплачивать ради экономии нескольких секунд (а то и меньше) при включении компьютера что-то не хочется. При работе скорость обмена между диском и оперативкой неактуальна, если достаточно оперативки. Технология SuperFetch заранее подгружает в оперативную память часто используемые приложения.

[strat 275]

Formay представляет самый быстрый твердотельный накопитель в форм-факторе 1.8 дюйма

на фото Foremay

[Андрей-001 1099]

Компания Foremay представляет ещё одни новые твердотельные накопители, на этот раз уже серии EC188М.

Диски предназначены для высокопроизводительных серверов и рабочих станций и оснащены интерфейсом SATA 3.0, обеспечивающим пропускную способность до 6 Гбит/с.

Заявленная скорость чтения информации - 450 Мб/с, скорость записи — 350 Мб/с.

Ожидается, что они найдут применение в серверах, поддерживающих работу крупных баз данных, «облачных» платформах, а также мощных компьютерах корпоративного класса.

Накопители совместимы не только с Windows, но и с другими операционными системами, такими как Linux, OpenSolaris, Solaris, FreeBSD, HP-UX, Unix, Mac OS X.

Foremay уже сейчас может предложить заказчикам диски вместимостью до 500 Гб, в перспективе - 1 Тб. Подробнее >>>

[timpor 0]

Цены пока ещё слишком высоки. Возможно, есть смысл кому-то покупать ноутбуки с SSD, а преимуществ для настольных систем мало.

Каким бы ни был надёжным SSD накопитель - всё равно придёться делать резервные копии данных для подстраховки. А если есть необходимость делать резервные копии, то практической разницы между SSD и HDD нет. Неважно, что SSD на какой-то процент надёжнее. А более высокая ударопрочность и низкая энергопотребляемость для настольных систем не так актуальны.

Скорость обмена данными между накопителем и оперативной памятью тоже не сильно привлекает. Так много переплачивать ради экономии нескольких секунд (а то и меньше) при включении компьютера что-то не хочется. При работе скорость обмена между диском и оперативкой неактуальна, если достаточно оперативки. Технология SuperFetch заранее подгружает в оперативную память часто используемые приложения.

 

Цены уже достаточно низки

SSD имеет смысл ставить в любые компьютеры, вопрос стоит лишь в цене.

обзор преимуществ и недостатков современных SSD http://geek-nose.com/chto-takoe-ssd-preimushhestva-i-nedostatki/ показывает, что имеет смысл даже для настольных машин, используемых для серфинга в инете.

[Сергей Ильин 1538]

Цены уже достаточно низки

SSD имеет смысл ставить в любые компьютеры, вопрос стоит лишь в цене.

 

Винт SSD на 512GB стоит в районе 15-17 тыс руб. Я бы не сказал, что это дешево. За эти деньги можно взять классический HDD на 6TB.

[timpor 0]

 

Цены уже достаточно низки

SSD имеет смысл ставить в любые компьютеры, вопрос стоит лишь в цене.

 

Винт SSD на 512GB стоит в районе 15-17 тыс руб. Я бы не сказал, что это дешево. За эти деньги можно взять классический HDD на 6TB.

 

 

ну если начинать прикидывать что там как получается по деньгам - то лучше купить ssd на 120 под скоростные задачи и 1-3тб для хранения данных.

так выйдет и быстро, и недорого. ну относительно конечно же

[Сергей Ильин 1538]

ну если начинать прикидывать что там как получается по деньгам - то лучше купить ssd на 120 под скоростные задачи и 1-3тб для хранения данных. так выйдет и быстро, и недорого. ну относительно конечно же

 

Такой гибридный вариант хорош, согласен. Я знаю некоторые выламывают в старых ноутах CD/DVD  привод и ставят туда винт SSD. Туда переносят систему и ноут получает вторую жизнь, скорость повседневных операций возрастает в разы.

[Виктор Коляденко 6]

Винт SSD на 512GB стоит в районе 15-17 тыс руб. Я бы не сказал, что это дешево. За эти деньги можно взять классический HDD на 6TB.

 

Это да, так всегда было. Про винты на 6 не помню, но 2 по 3 (или 3 по 2?) могут стоить ещё дешевле. А там и RAID придумать можно.

[Haivanew 0]

 

 

Это да, так всегда было. Про винты на 6 не помню, но 2 по 3 (или 3 по 2?) могут стоить ещё дешевле. А там и RAID придумать можно.

ну все равно, SSD по своему эффективен, и есть свои плюсы и минусы

я допустим под проекты работы себе ssd поставил, ну и соответственно систему на него кинул

[phileosofos 0]

Сколько бы преимуществ не было, данные можно потерять и с SSD-накопителей и с HDD-накопителей. Я про собственный опыт говорю. Если бы не программа Hetman Partition Recovery 2.3 я бы дважды остался без ценной информации